法人番号： 5030001109246
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
事業内容2022-02-22 更新
シリコンに変わる次世代パワーデバイス材料として有望な酸化ガリウムウエハの開発。
β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）単結晶基板・エピタキシャルウエハの開発・製造・販売およびパワーデバイスの開発
株主（過去の株主を含む）
ローム株式会社 / AGC株式会社 / JX金属株式会社 / 株式会社タムラ製作所 / 株式会社安藤・間すべて見る
企業概要2020-08-27更新
- 企業名
- 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
- 英語名
- Novel Crystal Technology, Inc.
- 代表者名
- 倉又 朗人
- 住所
- 埼玉県狭山市広瀬台2-3-1
- 設立
- 2015-06
- 起源
- スピンオフ/カーブアウト
- タイプ
- 未公開企業
- 業種
- 半導体/その他電子部品・製品
- 株主状況
- VCあり, 事業会社あり
- SNS
ニュース
ファイナンス・M&A
資金調達2022-05-12
資金調達2022-02-21
資金調達2020-06-30
NewsPicksの検索結果
世界初、アンペア級・1200V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード」を開発
www.nedo.go.jp・2021/12/27
NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの製品化開発」に取り組む株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（本社：埼玉県狭山市、代表取締役社長 倉又 朗人）は、このたび、アンペア級・1200 V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード（SBD）」を開発しました。本開発は世界初となる画期的なものとなります。1Picks
www.nedo.go.jp・2021/12/27
NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの製品化開発」に取り組む株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（本社：埼玉県狭山市、代表取締役社長 倉又 朗人）は、このたび、アンペア級・1200 V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード（SBD）」を開発しました。本開発は世界初となる画期的なものとなります。1Picks
