- 法人番号
- 5130001069488
ネクスファイ・テクノロジー株式会社
事業内容2024/11/15 更新
炭化ケイ素（SiC）半導体を活用した次世代パワーデバイスを開発。
耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを直並列接続し、10kVを超える高電圧を実現した高電圧スイッチモジュールの提供。
100kHz、1kWをこえる高周波繰り返しパルスを発生させる高周波パルス電源、立ち上がり速度100ns以下の高速パルスを発生させる電源ナノインパルス発生器等の製造・販売。
「独創的・革新的技術により、次世代・未来の豊かな社会づくりに貢献する」をミッションに、「高電圧特殊電源のリーディングカンパニーとして、ユーザーに不可欠な存在になる」をビジョンに掲げる。
株主（過去の株主を含む）
荏原実業株式会社 / TEL Venture Capital, Inc. / 大阪大学ベンチャーキャピタル株式会社すべて見る
ステータス
担当者
マイラベル
初回面談日
ソーシングルート
メモ
企業概要
- 企業名
- ネクスファイ・テクノロジー株式会社
- 英語名
- NexFi Technology Inc.
- 代表者名
- 中村 孝
- 住所
- 大阪府吹田市山田丘2-8 大阪大学テクノアライアンスC棟
- 設立
- 2021/06
- 起源
- 大学発
- 大学発（大学名）
- 大阪大学
- タイプ
- 未公開企業
- 業種
- 半導体/その他電子部品・製品
- 株主状況
- VCあり
- SNS
調達後評価額
（潜在株を含む）
1,449百万円（推定）
総調達額
最新ラウンド調達額
総調達額の内訳（過去分含む）
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役員（現職）
名前 | 役職 | 職名 | 略歴 | 出所 |
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業績
期 | 年 | 月 | 区分 | 売上（千円） | 営業利益 （千円） | 経常利益（千円） | 当期利益（千円） | 出所 | 備考 |
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提携先
提携日 | 事業提携先 | 種別 | 属性 |
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