- 法人番号
- 5130001069488
ネクスファイ・テクノロジー株式会社
事業内容2025/12/25 更新
炭化ケイ素（SiC）半導体を活用した次世代パワーデバイスを開発。
耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを直並列接続し、10kVを超える高電圧を実現した高電圧スイッチモジュールの提供。
最大500 kHz、2.5 kWの高周波・高電圧パルス電源、立ち上がり速度100 ns以下のナノインパルス発生器等の製造・販売。
大阪大学大学院工学研究科との共同研究で、自社高周波パルス発生器を活用した短時間でのPFAS完全分解に成功。
「高電圧・大電流を制御し、未来を切り拓く社会と革新を創造する」をミッションに掲げる。
株主（過去の株主を含む）
TEL Venture Capital, Inc. / 荏原実業株式会社 / 大阪大学ベンチャーキャピタル株式会社すべて見る
ステータス
担当者
マイラベル
初回面談日
ソーシングルート
メモ
企業概要
- 企業名
- ネクスファイ・テクノロジー株式会社
- 英語名
- NexFi Technology Inc.
- 代表者名
- 中村 孝
- 住所
- 大阪府吹田市山田丘2-8 大阪大学テクノアライアンスC棟
- 設立
- 2021/06
- 起源
- 大学発
- 大学発（大学名）
- 大阪大学
- タイプ
- 未公開企業
- 業種
- 半導体/その他電子部品・製品
- 株主状況
- VCあり
- SNS
調達後評価額
（潜在株を含む）
1,449百万円（推定）
総調達額
最新ラウンド調達額
総調達額の内訳（過去分含む）
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役員（現職）
名前 | 役職 | 職名 | 略歴 | 出所 |
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業績
期 | 年 | 月 | 区分 | 売上（千円） | 営業利益 （千円） | 経常利益（千円） | 当期利益（千円） | 出所 | 備考 |
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提携先
提携日 | 事業提携先 | 種別 | 属性 |
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